MCP (Multiple Chip Package) 存儲器，MCP是在一個(gè)塑料封裝外殼內(nèi)，垂直堆疊大小不同的各類存儲器或非存儲器芯片，是一種一級單封裝的混合技術(shù)，用此方法節(jié)約小巧印刷電路板PCB空間。

3D晶圓級封裝，英文簡稱（WLP)，包括CIS發(fā)射器、MEMS封裝、標(biāo)準(zhǔn)器件封裝。是指在不改變封裝體尺寸的前提下，在同一個(gè)封裝體內(nèi)于垂直方向疊放兩個(gè)以上芯片的封裝技術(shù)，它起源于快閃存儲器(NOR/NAND)及SDRAM的疊層封裝。主要特點(diǎn)包括：多功能、高效能；大容量高密度，單位體積上的功能及應(yīng)用成倍提升以及低成本。

一：封裝趨勢是疊層封(PoP)；低產(chǎn)率芯片似乎傾向于PoP。

二：多芯片封裝(MCP)方法，而高密度和高性能的芯片則傾向于MCP。

三：以系統(tǒng)級封裝(SiP)技術(shù)為主，其中邏輯器件和存儲器件都以各自的工藝制造，然后在一個(gè)SiP封裝內(nèi)結(jié)合在一起。

目前的大多數(shù)閃存都采用多芯片封裝（MCP，Multichip Package），這種封裝，通常把ROM和RAM封裝在一塊兒。多芯封裝（MCP）技術(shù)是在高密度多層互連基板上，采用微焊接、封裝工藝將構(gòu)成電子電路的各種微型元器件(裸芯片及片式元器件)組裝起來，形成高密度、高性能、高可靠性的微電子產(chǎn)品(包括組件、部件、子系統(tǒng)、系統(tǒng))。技術(shù)上，MCP追求高速度、高性能、高可靠和多功能，而不像一般混合IC技術(shù)以縮小體積重量為主。但隨著Flash閃存以及DRAM閃存追求體積的最小化，該封裝技術(shù)由于使用了金屬絲焊接，在帶寬和所占空間比例上都存在劣勢，而WSP封裝技術(shù)將會是一個(gè)更好解決方案。